型號(hào)/規(guī)格

SU8010

電鏡類型

冷場(chǎng)發(fā)射電鏡

簡(jiǎn)介

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡可用于材料分析和研究，特別是材料斷口分析、微區(qū)成分分析、各種鍍膜表面形貌分析、層厚測(cè)量和顯微組織形貌及納米材料分析等。

指標(biāo)參數(shù)

（1）二次電子分辨率：1.0nm(15kV)，1.6nm(1kV) ；

（2）加速電壓：≥0.1 ~ 30kV 

（3）電子束流：100nA，200nA 或20nA

（4）放大倍數(shù)：優(yōu)于×30～×200000

（5）物鏡光闌：可調(diào)，加熱自清潔裝置

（6）樣品臺(tái)：三軸；傾斜：≥-3~700 ；旋轉(zhuǎn)：3600連續(xù)

（7）真空系統(tǒng)：真空度：電子槍室高真空：10-7Pa,；提供離子泵用專用UPS；樣品室真空：10-4Pa。

（8）聚光鏡：電磁透鏡會(huì)聚系統(tǒng)，束流強(qiáng)度可連續(xù)可調(diào)。

（9）電子光學(xué)系統(tǒng)

9.1電子槍：場(chǎng)發(fā)射電子槍

9.2電子槍和軸：自動(dòng)

9.3工作距離：≥1.5mm~30mm

9.4聚焦：自動(dòng)聚焦或手動(dòng)聚焦。

9.5減速模式

9.6自動(dòng)功能：自動(dòng)聚焦、曝光、消像散

9.7能量過(guò)濾器。

（10）探測(cè)器及成像系統(tǒng)

高位二次電子探頭和低位二次電子探頭、背散射電子探頭。

（11）全自動(dòng)離子濺射儀

濺射電流：0~40mA；靶鉑(Pt)或黃金靶

（12）能譜儀

分辨率127eV；探測(cè)器探頭 SDD；探頭有效面積：≥60平方毫米；探測(cè)元素 Be4--U92；提供全套分析軟件。

主要應(yīng)用

場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡可用于材料分析和研究，特別是材料斷口分析、微區(qū)成分分析、各種鍍膜表面形貌分析、層厚測(cè)量和顯微組織形貌及納米材料分析等。

樣品要求

樣品類型：無(wú)磁性、無(wú)揮發(fā)性材料